碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽 和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高 頻率的需求，主要被用于制作高速、高頻、大功率及發(fā)光電子元器件，下游應(yīng)用領(lǐng)域包括智 能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏風(fēng)電、5G 通信等，在功率器件領(lǐng)域，碳化硅二極管、MOSFET 已經(jīng)開(kāi)始商業(yè)化應(yīng)用。